THE SMART TRICK OF 美国专利申请 THAT NOBODY IS DISCUSSING

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Deng et al. 2008 Image‐induced polymerization of methyl methacrylate/cyclodextrin sophisticated in aqueous Remedy

ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation

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於其他實施例中,通孔提供於電阻元件中以在元件之本體內形成彼此大致不連通之通道,由此使離子電流於元件中之側向移動減小化。電流大致沿與電阻元件附近之最靠近電鍍表面正交之向量方向以一係一維之方式流動。

於其他實施例中,該等虛陰極中之一者或兩者由實體陰極替換,且實體陰極簡單地位於虛陰極之位置處。該電鍍裝置以一類似於虛陰極或實體陰極(不具有虛陰極)之方式執行。然而,如下文所述,使用虛陰極提供優點。

不導電虛擬電極空腔結構(例如塑膠壁)引導所有或大致所有來自或去往裝設於虛擬電極空腔內部之實體電極之電流以自虛擬電極空腔口發出或進入至虛擬電極空腔口中。一導電實體電極之表面處之電位通常大致為單個恆定值。此條件可(但未必)在虛擬空腔口處為近似的。應理解,未必虛擬空腔口具有一往往在一實體電極位於其中之情況下出現之虛陰極/陽極口位置處之相同電流分佈之所有屬性,或產生一往往在一實體電極位於其中之情況下出現之虛陰極/陽極口位置處之相同電流分佈。然而,來自實體電極之所有電流必須流過該(該等)空腔口,且當適當地設計電極、空腔、電阻元件及其他組件時,則可使跨虛擬電極之電位及電流分佈兩者變成大致均勻。舉例而言,可修改空腔之形狀以提高實體陰極上之電鍍之均勻度。虛擬電極口區域通常(但未必)呈平面、環形或錐形的,但其他形狀無疑係可能的。出於許多目的,虛陰極口似乎產生類似於一「真實」實體電極之效果,此乃因其呈現一其中電流流入或流出一主單元元件(例如,主陽極室)之表面。如所指示,此空腔口「表面」藉由以類似於在一實體電極位於虛擬電極口之位置處之情況下實體電極提供或消耗離子電流之方式提供或消耗離子電流來影響電鍍條件。

結論 應理解,本文中所述之實例及實施例僅旨在圖解闡釋之目的且將向熟習此項技術者建議鑒於其之各種修改或改動。儘管為清楚起見已省去各種細節,但可實施各種設計替代方案。因此,本發明實例應視為例示性的而非限制性的,且本發明不僅限於本文中所給出之細節,而是可在隨附申請專利範圍之範疇內加以修改。此外,應理解,本申請案中所呈現之許多特徵可單獨地以及以熟習此項技術者將理解之彼此之任一合適組合形式實施。

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虛擬電極 兩種類型之電流源(或槽)電極應在一如本文中所述之電鍍裝置中識別出:一虛擬電極及一實體電極。該兩種類型之電極提供電流源(陽極)或電流槽(陰極)。

抓鬥係由兩個主塊構成。抓鬥之第一塊為圓錐體,其可打開以允許插入並抽出晶圓。圓錐體亦對觸點及密封件施加壓力。抓鬥之第二塊為晶圓固持杯。通常需要杯之底部由一絕緣體製成(或塗佈有一絕緣體)以避免任何例如出現在一放入一具有一側向變化電位之電解質中之金屬上之偶聯腐蝕及電解沈積反應。然而,同時,杯底部需要在機械上為強的。此乃因其需要為薄的以避免晶圓邊緣附近之電解質流擾動同時足夠強以將杯向上壓靠在晶圓及圓錐體上同時避免撓曲。因此,於一些實施例中,杯底部係塗佈有一絕緣材料(例如玻璃或塑膠)之金屬。

於一些實施例中,第二輔助陰極之第二實體陰極包括多個段,其中該等段中之每一者皆可藉由一單獨電源或使用一個具有多個適於第二實體陰極之獨立功率段之通道之電源來單獨地加電。此一分段式第二實體陰極特別適用於在非圓形或不對稱晶圓(例如具有平坦區域之晶圓)上電鍍。儘管現今相當罕見,但一些晶圓含有晶圓「平地」、一例如用於對準之晶圓邊緣處之晶圓之切出弧。然而,通常,一具有獨立加電段之分段式第二實體陰極可用於任一種類之工件(對稱的或不對稱的),因為其允許細調電鍍均勻度。特定而言,一分段式第二實體陰極可用於提供晶圓之不同方位角位置處之電流校正。

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)處之低電阻,故離子電流密度在中心處為低且在邊緣處為高。此一電流密度導致邊緣厚金屬沈積剖面。

圖1B係一繪示一用於在有一具有3D多孔網路之離子電阻離子可滲透元件之情況下在一薄晶種層上電鍍之等效電路之示意圖

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